耐等离子体侵蚀陶瓷

等离子刻蚀技术是超大规模集成电路制备工艺中不可或缺加工技术。在半导体晶圆尺寸不断增大以及特征尺寸不断减少的发展进程中，晶圆的污染问题越来越突出。而刻蚀机腔室材料作为晶圆的主要污染源之一，其耐等离子刻蚀性日益受到人们的关注。
沪硅在半导体刻蚀、薄膜沉积等过程中，运用耐CF4、SF6、NF3、CHF3、Cl2，BCl3、BBr3等不同类型等离子体侵蚀的陶瓷材料。产品应用于刻蚀机(RIE)和薄膜沉积设备(PECVD/PVD/CVD)腔体内部，具体包括内壁、观察窗、气体分布器、聚焦环、隔离环、遮蔽罩、喷嘴、沉积环 、气室、加热盘等。面对全球半导体装备市场增长快速的情况，耐侵蚀陶瓷部件作为消耗品备受关注。